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SUM90N08-7m6P
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
2.5
2.0
1.5
I D = 30 A, V GS = 10 V
1.0
0.5
0.0
I D = 5 mA
- 0.5
1.0
- 1.0
I D = 250 μ A
0.5
0.0
- 1.5
- 2.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
10
8
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 15 A
V DS = 3 8 V
95
90
T J - J u nction Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
6
4
2
0
V DS = 60 V
8 5
8 0
75
70
I D = 250 μ A
0
10
20
30
40
50
60
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
100
10
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 °C
120
100
8 0
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
1.0
60
0.1
40
0.01
0.001
T J = 25 °C
20
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
0
25
50
75
100
125
150
175
www.vishay.com
4
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
T C - Case Temperat u re (°C)
Maximum Drain Current vs. Case Temperature
Document Number: 69578
S-80799-Rev. B, 14-Apr-08
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